英飞凌推出新产品 内置集成的快速体二极管

　　11月8日，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的CoolMOS PFD7高压MOSFET系列，为950V 超结（SJ）技术树立了新的行业标准，满足当今市场对产品小型化、高能效的需求。全新950V系列具有出色的性能和易用性，采用集成的快速体二极管，可确保器件的稳健性，同时降低了BOM（材料清单）成本。该产品专为超高功率密度和超高效率的产品设计量身打造，主要用于照明系统以及消费和工业领域的开关电源（SMPS）应用。

　　新产品系列适用于反激式、PFC和LLC/LCC设计，包括使电源换向变得稳定而可靠的半桥或全桥配置。通过集成具有超低反向恢复电荷（Qrr）的超快速体二极管，该系列产品实现了硬换向的稳健性和可靠性，并成为该电压级别中更稳健的超结 MOSFET，可适用于目标应用中的所有拓扑结构。此外，开关损耗（EOSS、QOSS和Qg）的大幅降低也提高了硬开关和软开关应用的使用效率，与900V CoolMOS C3 超结 MOSFET相比，MOSFET温度最高可降低4开尔文。相较以前，新产品更为绿色环保，其轻载和满载PFC效率提高了0.2%以上，同时可满足LLC效率要求。

　　新产品系列降低了各种采用SMD封装和THD封装的器件的导通电阻（RDS(on)）值，最高可降低55%，例如DPAK封装中器件的导通电阻值为450 mΩ或TO247封装中器件的导通电阻值为60 mΩ。设计人员可通过减小封装尺寸、大幅提高功率密度并节省电路板空间，降低BOM成本和生产成本。其柵极-源极阈值电压（V(GS),th）为3V，V(GS),th最低变化范围为±0.5V，可方便新器件的设计导入和驱动，提高了设计自由度；利用低阈值电压和容差可避免使用MOSFET线性模式，降低了驱动电压和闲置损耗。另外，与CoolMOS C3相比，新产品系列的栅极电荷改善了60%，大大降低了驱动损耗，而且能够达到人体放电模型（HBM）（2级静电放电敏感度）标准，保证了静电放电（ESD）的稳健性，进而减少了与ESD有关的设备故障，提高了产量。